ASTM F1192 - 11

    Стандартное руководство по измерению одиночных сбоев, вызываемых облучением полупроводниковых приборов тяжелыми ионами

    Active Standard ASTM F1192 Developed by Subcommittee: F01.11

    Book of Standards Volume: 10.04


    Contact Jim S. Thomas for price quote.


    Historical Version(s) - view previous versions of standard

    Translated Standard(s): English

    ASTM License Agreement

    More F01.11 Standards Related Products


    1. Область применения

    1.1 В данном Руководстве определены требования и процедуры испытаний интегральных схем и других электронных компонентов для определения фактов одиночных сбоев (SEP), вызываемых их облучением тяжелыми ионами с атомными номерами Z более 2. При этом специально исключается воздействие нейтронов, протонов и других более легких частиц, которые могут вызывать подобные явления за счет других механизмов взаимодействия. SEP включает в себя любые виды отказов, вызываемых бомбардировкой одиночным ионом, в том числе случайные (исправимые) сбои (одно или несколько одновременных обратимых изменений состояния битов), неисправимые сбои (необратимые изменения состояния битов), «защелкивание» (т.е. фиксация в состоянии с высокой проводимостью), кратковременные импульсы, возникающие в комбинированных устройствах (которые могут вызывать исправимые сбои (ошибки) в близлежащих микросхемах, перегорание мощных полевых транзисторов (FET) и пробой затвора. Данное испытание может считаться разрушающим, поскольку зачастую связано с удалением крышек с компонентов перед их облучением. Изменения состояния битов обычно связаны с цифровыми компонентам, а эффект «защелкивания» - с объемными комплементарными МОП-структурами (CMOS), однако вызываемые тяжелыми ионами SEP-сбои также могут наблюдаться в программируемых постоянных запоминающих устройствах (PROM) и некоторых линейных устройствах, которые могут реагировать на вызываемых тяжелыми ионами кратковременными изменениями заряда. Мощные транзисторы могут испытываться с помощью процедуры, указанной в Методе 1080 стандарта MILSTD 750.

    1.2 Описанные ниже процедуры могут использоваться для имитации и прогнозирования SEP-сбоев, возникающих в естественной космической среде при воздействии межгалактических космических лучей, захватываемых магнитным полем Земли ионов и хромосферных вспышек. Описанные методы, однако, не могут имитировать воздействие пучков тяжелых ионов, предлагаемые в военных программах. Конечный результат проведенного испытания – это график зависимости поперечного сечения SEP-сбоя от параметра LET (линейной потери энергии или энергии, выделяемой на пути пролета иона в полупроводнике). Эти данные могут рассматриваться совместно с конфигурацией (состоянием) системы формирования ионов для оценки частоты (коэффициента) системных сбоев.

    1.3 Хотя SEP-сбои могут вызывать и протоны, эти сбои в данном Руководстве не рассматриваются.

    1.4 Значения, выражаемые в единицах системы СИ, считаются стандартными, и никакие другие единицы измерений в данном стандарте не используются.

    1.5 Данный стандарт не претендует на полноту описания всех мер безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Вся ответственность за установление соответствующих правил техники безопасности и мер по охране здоровья, а также определение пределов применимости регламентов до начала использования данного стандарта, лежит на пользователе стандарта.

    2. Ссылочные документы

    750Method1080


    Ключевые слова

    SEB, SEE, SEFI, SEGR, SEL, SEP, SEU, сечение SEP, одиночное событие, эффект одиночного события, признак одиночного события, одиночный сбой, условия космического пространства.