1.1 В данном Руководстве определены требования и процедуры испытаний интегральных схем и других электронных компонентов для определения фактов одиночных сбоев (SEP), вызываемых их облучением тяжелыми ионами с атомными номерами Z более 2. При этом специально исключается воздействие нейтронов, протонов и других более легких частиц, которые могут вызывать подобные явления за счет других механизмов взаимодействия. SEP включает в себя любые виды отказов, вызываемых бомбардировкой одиночным ионом, в том числе случайные (исправимые) сбои (одно или несколько одновременных обратимых изменений состояния битов), неисправимые сбои (необратимые изменения состояния битов), «защелкивание» (т.е. фиксация в состоянии с высокой проводимостью), кратковременные импульсы, возникающие в комбинированных устройствах (которые могут вызывать исправимые сбои (ошибки) в близлежащих микросхемах, перегорание мощных полевых транзисторов (FET) и пробой затвора. Данное испытание может считаться разрушающим, поскольку зачастую связано с удалением крышек с компонентов перед их облучением. Изменения состояния битов обычно связаны с цифровыми компонентам, а эффект «защелкивания» - с объемными комплементарными МОП-структурами (CMOS), однако вызываемые тяжелыми ионами SEP-сбои также могут наблюдаться в программируемых постоянных запоминающих устройствах (PROM) и некоторых линейных устройствах, которые могут реагировать на вызываемых тяжелыми ионами кратковременными изменениями заряда. Мощные транзисторы могут испытываться с помощью процедуры, указанной в Методе 1080 стандарта MILSTD 750.
1.2 Описанные ниже процедуры могут использоваться для имитации и прогнозирования SEP-сбоев, возникающих в естественной космической среде при воздействии межгалактических космических лучей, захватываемых магнитным полем Земли ионов и хромосферных вспышек. Описанные методы, однако, не могут имитировать воздействие пучков тяжелых ионов, предлагаемые в военных программах. Конечный результат проведенного испытания – это график зависимости поперечного сечения SEP-сбоя от параметра LET (линейной потери энергии или энергии, выделяемой на пути пролета иона в полупроводнике). Эти данные могут рассматриваться совместно с конфигурацией (состоянием) системы формирования ионов для оценки частоты (коэффициента) системных сбоев.
1.3 Хотя SEP-сбои могут вызывать и протоны, эти сбои в данном Руководстве не рассматриваются.
1.4 Значения, выражаемые в единицах системы СИ, считаются стандартными, и никакие другие единицы измерений в данном стандарте не используются.
1.5 Данный стандарт не претендует на полноту описания всех мер безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Вся ответственность за установление соответствующих правил техники безопасности и мер по охране здоровья, а также определение пределов применимости регламентов до начала использования данного стандарта, лежит на пользователе стандарта.
2. Ссылочные документы
750Method1080
Ключевые слова
SEB; SEE; SEFI; SEGR; SEL; SEP; SEU; сечение SEP; одиночное событие; эффект одиночного события; признак одиночного события; одиночный сбой; условия космического пространства.
Citing ASTM Standards
[Back to Top]
